您好,歡迎來到上海分類信息網
免費發信息

LED芯片使用過程中什么讓你“卡殼”?

2020-4-5 15:13:32發布12次查看ip:發布人:

1.正向電壓降低,暗光
a:一種是電極與發光材料為歐姆接觸,但接觸電阻大,主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。
b:一種是電極與材料為非歐姆接觸,主要發生在芯片電極制備過程中蒸發第一層電極時的擠壓印或夾印,分布位置。
另外封裝過程中也可能造成正向壓降低,主要原因有銀膠固化不充分,支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩定。 正向壓降低的芯片在固定電壓測試時,通過芯片的電流小,從而表現暗點,還有一種暗光現象是芯片本身發光效率低,正向壓降正常。
2.難壓焊:(主要有打不粘,電極脫落,打穿電極)
a:打不粘:主要因為電極表面氧化或有膠
b:有與發光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢,其中以加厚層脫落為主。
c:打穿電極:通常與芯片材料有關,材料脆且強度不高的材料易打穿電極,一般gaalas材料(如高紅,紅外芯片)較gap材料易打穿電極.
d:壓焊調試應從焊接溫度,超聲波功率,超聲時間,壓力,金球大小,支架定位等進行調整。
3.發光顏色差異:
a:同一張芯片發光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題,algainp四元素材料采用量子結構很薄,生長是很難保證各區域組分一致。(組分決定禁帶寬度,禁帶寬度決定波長)。
b:gap黃綠芯片,發光波長不會有很大偏差,但是由于人眼對這個波段顏色敏感,很容易查出偏黃,偏綠。由于波長是外延片材料決定的,區域越小,出現顏色偏差概念越小,故在m/t作業中有鄰近選取法。
c:gap紅色芯片有的發光顏色是偏橙黃 色,這是由于其發光機理為間接躍進。受雜質濃度影響,電流密度加大時,易產生雜質能級偏移和發光飽和,發光是開始變為橙黃色。
4.閘流體效應:
a:是發光二極管在正常電壓下無法導通,當電壓加高到一定程度,電流產生突變。
b:產生閘流體現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層,有此現象的led在if=20ma時測試的正向壓降有隱藏性,在使用過程是出于兩極電壓不夠大,表現為不亮,可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線,也可以通過小電流if=10ua下的正向壓降來發現,小電流下的正向壓降明顯偏大,則可能是該問題所致。
5.反向漏電:
a:原因:外延材料,芯片制作,器件封裝,測試一般5v下反向漏電流為10ua,也可以固定反向電流下測試反向電壓。
b:不同類型的led反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏,而普芯片則在十幾二十伏之間。
c:外延造成的反向漏電主要由pn結內部結構缺陷所致,芯片制作過程中側面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液調配銀膠。以防止銀膠通過毛細現象爬到結區。

該用戶其它信息

VIP推薦

上海分類信息網-上海免費發布信息-上海新聞網
体彩黑龙江6十1中奖对照表